DB157S迷你整流桥详细解析 【ASEMI】

 
DB157S的参数介绍

  DB157S的电性参数是：正向电流（Io）为1.5A，反向耐压为1000V，正向电压（VF）为1.05V，恢复时间（Trr）达到500ns，其中有4条引线。DB157S的浪涌电流Ifsm为50A，漏电流（Ir）低于5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。采用GPP芯片材质，里面有4颗芯片组成，芯片尺寸都是50MIL。它的本体宽度为6.35mm，整体宽度为7.65mm，长度为8.32mm，高度为2.35mm，脚间距为5.1mm，脚宽度为1.01mm，脚位距离为10.4mm。

贴片整流桥DB157S的导通时间和导通特性
 

　　整流桥DB157S在50Hz交流电压经过全波整流后变成脉动直流电压u1，再通过输入滤波电容得到直流高压U1。在理想情况下，整流桥的导通角本应为180?(导通范围是从0?～180?)，但由于滤波电容器C的作用，仅在接近交流峰值电压处的很短时间内，才有输入电流流经过整流桥对C充电。50Hz交流电的半周期为10ms，整流桥的导通时间tC≈3ms，其导通角仅为54?(导通范围是36?～90?)。因此，整流桥实际通过的是窄脉冲电流。桥式整流滤波电路的原理如图1(a)所示，整流滤波电压及整流电流的波形分别如图l(b)和(c)所示。

  台湾ASEMI品牌12年专业专注高压整流桥领域,供应高品质性能高压整流桥，行业新旗帜业界新代表，台湾ASEMI高压整流桥，值得您点赞。